Intel planira prvu fabriku za rad sa 450 mm vaferima

Intel je objavio da planira novu fabriku poluprovodnika u Oregonu koja bi mogla
predstavljati prvo postrojenje u svetu za ra rad sa silicijumskim vaferima prečnika
450 mm. Postojenje će nositi ime Fab D1E i biće izgrađeno odmah pored sadašnje
Fab D1D u Hilzborou koja je završena 2003. godine i koja predstavlja glavno Intelovo
postrojenje za razvoj 45 nm proizvodnog procesa.
Fab D1E je još uvek u fazi prednacrta, a tek negde u naredne dve godine će biti
odlučeno hoće li ona raditi sa 300 mm ili 450 mm vaferima. Intel kaže da će
se u konačnoj odluci voditi faktorima kao što su stanje na tržištu i dostupnost
alata potrebnih za rad sa većim vaferima. Mnogi stručnjaci ne veruju da će industrija
poluprovodnika biti u stanju da pređe na 450 mm vafere, ali Intel uporno ponavlja
da će se to jednog dana neizbežno dogoditi. Cena razvoja novih uređaja za izradu
čipova na većim vaferima će biti astronomska, dok je interesovanje proizvođača
čipova za njih veoma malo. Veruje se da će od korišćenja 450 mm vafera moći
da profitiraju samo najveći proizvođači kao što je Intel, ali čak ni ovaj gigant
neće moći da samostalno podnese sve troškove tranzicije.

izvor: EE Times