Intel predstavio roadmap za narednu deceniju

Intel je u petak u svom glavnom štabu u Santa Klari održao
prezentaciju na kojoj je nekoliko kompanijinih inženjera iznelo Intelova očekivanja
vezana za dalji razvoj proizvodnje integrisanih kola. Intelov glavni tehnološki
strateg, Paolo Garđini, kaže da će kompanija do 2010. godine već imati jasnu
ideju čime da zameni pos

Intel je u petak u svom glavnom štabu u Santa Klari održao
prezentaciju na kojoj je nekoliko kompanijinih inženjera iznelo Intelova očekivanja
vezana za dalji razvoj proizvodnje integrisanih kola. Intelov glavni tehnološki
strateg, Paolo Garđini, kaže da će kompanija do 2010. godine već imati jasnu
ideju čime da zameni posrnulu CMOS (complementary metal oxide semiconductor)
tehnologiju koja leži u osnovi današnjih čipova. Još od 60-tih godina prošlog
veka skok performansi čipova se ostvaruje usitnjavanjem proizvodnog procesa
i povećavanjem broja tranzistora, ali takva strategija se ubrzano približava
kraju svoje primenjivosti. Intel je bio dosledni sledbenik takozvanog Murovog
zakon, nazvanog po kompanijinom koosnivaču, Gordonu Muru, ali priznaje da će
on ostati na snazi još svega par godina. Po Garđiniju, 2000. godine je otpočela
nova era u kojoj se performanse ne dobijaju samo usitnjavanjem, već i primenom
dodatnih tehnologija.
Intel će 2007. godine preći na 65-nm proces pri kome će u tranzistorima koristiti
metalne gate elektrode za razliku od današnjih, silicijumskih. Metalne elektrode
će biti dvostruko deblje od sadašnjih, ali će zato sa njih bežati daleko manje
elektrona. Intel će tada kao izolator tranzistora koristiti drugi materijal
umesto tradicionalnog silicijum dioksida, ali je Garđini odbio da kaže o kom
materijalu se radi.
Intel očekuje da će na ovaj način uspeti da usitni proizvodnju do 22 nm procesa
koji bi trebalo da bude dostignut 2011. ili 2012. godine, ali onda će morati da
smisli drugi način kako da nastavi da unapređuje performanse čipova do 2014. ili
2015. godine.
Intel smatra da će tada klasični tranzistori biti suviše mali da bi se mogli
dalje smanjivati, tako da će biti zamenjeni ugljeničnim nano-cevima ili silicijumskim
nano-žicama. Nano-cevi neće služiti samo kao tranzistori, već će se koristiti
i kao međuveze i za odvođenje toplote sa čipova. Intel eksperimentiše sa postavljanjem
nano-cevi na silicijumski vafer, ali je svestan da će do 2020. godine najverovatnije
morati da kompletno napusti silicijum.

Izvor: C|Net

Ostani u toku

Prijavi se na newsletter listu i jednom nedeljno cemo ti poslati email sa najnovijim testovima i vestima iz sveta tehnologije.

Hvala!

Uspešno ste se prijavili na na naš newsletter! Proverite vaš email nalog kako bi potvrdili prijavu.

Možda vam se svidi