Intel tvrdi da je za 20 meseci koliko razvija svoj 65 nm
proces proizvodnje prinose u njemu uspeo da dovede na nivo koje je u 180 nm
procesu ostvario tek nakon 38 meseci, u 130 nm procesu nakon 30 meseci, a u
90 nm nakon 26 meseci.
Nekada je za razvoj novog proizvodnog procesa Intelu trebalo oko tri godine
rada na njemu, dok danas istraživanja potrebna za početak proizvodnje okonča
za dvostruko manje vremena. Ipak, kako se proizvodni proces smanjuje, sve više
faktora može negativno uticati na prinose u izradi. Intel je primetio da različita
vlažnost vazduha u fabrici u kojoj je proizvodni proces razvijen i u onoj u
kome će čipovi biti komercijalno proizvođeni može da jako uveća škart, zbog
čega se trudi da u svim fabrikama obezbedi što sličniji kvalitet vazduha.
Markus Kun, direktor Intelovog Technology and Development Group odeljenja, priznao
je da je Intel pri razvoju svog 90 nm procesa bio svestan da će problemi sa tranzistorskim
curenjem u njemu biti izraženi, ali da kompanija u tom trenutku to nije videla
kao važno pitanje. Kun kaže da oksidi koji se koriste za izolaciju gejt elektrode
nikada neće biti u stanju da potpuno reše problem curenja, pošto se on zasniva
na kvantno-mehaničkim osobinama elektrona.
Izvor: TG Daily