Mitsubishi razvio novi low-k dielektrik

Mitsubishi Electric Corporation je objavio da je razvio novi
materijal niske kapacitivnosti koji će koristiti u izradi integrisanih kola.
Kompanija bi trebalo da svoje otkriće predstavi danas na simpozijumu u San Dijegu,
a planira da ga uskoro uvede u proizvodnju u pogonima kompanije Renesas koju
je osnovala u saradnji sa firmom Hitachi.
Mitsubishi tvrdi da je novi materijal izuzetno čvrst, oko šest puta čvršći od
sadašnjih low-k dielektrika, što bi trebalo da znatno olakša proizvodnju čipova.
Niska kapacitivnost sadašnjih low-k materijala se u velikoj meri zasniva na
sićušnim šupljinama u njihovoj strukturi, ali ih to takođe čini poroznim i lomljivim,
tako da teško podnose procese u proizvodnji kao što je hemijsko-mehanička planatizacija.
Novi low-k materijal je zasnovan na borazinu, jedinjenju slučnom benzenu kome
su atomi ugljenika u prstenu zamenjeni atomima bora i azota. Ovaj materijal
poseduje izuzetno nisku kapacitivnost, ali zato lako reaguje sa vodom i kiseonikom,
što ga je do sada činilo neupotrebljivim. Mitsubishi je pronašao način da to
reši zamenjujući okružujuće atome vodonika ugljovodoničnim radikalima, na taj
način dobijajući hemijski inertan materijal sa koeficijentom kapacitivnosti
od 2,3. Novi materijal ne zahteva šupljine u sebi, tako da je čvrst gotovo kao
i silicijum-oksid koji se koristi za izolaciju slojeva interkonekcija u čipovima.

Izvor: EE Times