Toshiba i Hynix se udružuju sa ciljem razvoja MRAM tehnologije i proizvodnje

Dok na tržištu i dalje vlada DRAM dominacija, japanska kompanija Toshiba i južnokorejska Hynix Semiconductor su odlučile da se pripreme za budućnost i formiraju partnerstvo u razvoju i proizvodnji – Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM) memorija. MRAM je memorijska solucija koja skladišti podatke preusmeravajući magnetizam tankog magnetnog sloja. Ovaj pristup je energetski efikasniji od DRAM memorije (koje zahtevaju da elektron prođe kroz kondenzator) pa se očekuje da bude savršen za budućnost mobilnih uređaja. Pošto brzina ne bi trebalo da bude problem, MRAM memorije bi mogle da uđu i u prostor računara, međutim ova tranzicija će svakako potrajati.