AMD najavljuje novu generaciju SOI tranzistora

Kako Advanced Micro Devices danas saopštava, njeni istraživači su prvi na svetu uspeli da proizvedu tranzistor nove SOI generacije. Prema kompaniji, inžinjeri su uspeli da konstruišu, proizvedu i demonstriraju tranzistor visokih performansi koji je za 30% brži od najbržih PMOS (P-channel metal- oxide semiconductor) tranzistora današnjice. Ovaj novi tranzistor je izrađen pomoću AMD-ove takozvane FDSOI tehnologije (Fully Depleted Silicon-on-Insulator). Ovaj proces bi trebao da bude finiširan početkom juna i time bi ovi tranzistori prešli iz prototipova u sample primerke (tj. čipovi napravljeni od ovih tranzistora, jer su tranzistori isuviše mali za tako nešto 🙂 ).
Drugi istraživanje je rezultiralo novim silicijumskim tranzistorima koji korišćenjem takozvanih “metalnih kapija” postižu 20-25% veće performanse od konvencionalnih silicijumskih tranzistora kakve sad imamo u čipovima.
Po ovoj američkoj kompaniji, nova generacija SOI tranzistora bi trebala da obeleži drugi deo ove dekade (koristiće se do 2010 ?). Obe tehnologije će po prvi put biti predstavljenje na godišnjem VLSI simpozijumu 11. i 12. juna u Kjotou, Japan.
Izvor : X-bit labs