Opet inovacije u memorijama, opet Samsung...

Samsung tvrdi da je uspeo da razvije prvi “through silicon via” (TSV) DRAM stack koji bi uskoro mogao rezultovati plasmanom memorijskih modula kapaciteta 4 GB na mainstream tržište. Kompanijin wafer-level-processed stacked paket (WSP) se sastoji od četiri 512 Mb DDR2 čipova, koji rezultuju jednim 2 Gb DRAM čipom. Nakon ugrađivanja ovakvih memorija (uz prevazilaženje odgovarajućih tehničkih poteškoća kakve su neminovne u komplikovanom procesu izrade) ovo bi trebalo da rezultuje prvim 4 GB DIMM-ovima baziranim na WSP i TSV tehnologijama. Kompanija tvrdi da će nova tehnologija biti dostupna i prilikom izrada budućih memorija.

Ne samo kod proizvodnje novih DDR2 i DDR3 memorija, već i da je moguće primeniti je na veliki deo memorijskog tržišta. Na taj način bi se omogućilo ostvarivanje novih nivoa performansi sa postojećim čipovima, kao i sa budućim čipovima koji tek trebaju da se pojave na tržištu. Kompanija nije navela kada bi ovakve memorije mogle da postanu dostupne tržištu, a DDR2 memorije koje se isporučuju u kapacitetima od 4 i 8 GB trenutno koštaju oko 800, odnosno 2200 dolara.

Izvor: TG Daily