Samsung je kreirao prvi industrijski 512GB DDR5 memorijski modul

Samsung je objavio da je kreirao prvi industrijski 512GB DDR5 memorijski modul, korišćenjem TSV (through-silicon via) tehnologije.Pomoću TSV pristupa, koji pomaže kod povezivanja 3D naslaganih silicijumskuh čipova, Samsung će kreirati osam slojeva 16Gb DRAM čipova kako bi ponudio kapacitet do 512GB na jednom modulu. Kada su u pitanju brzine, Samsung tvrdi da memorija može da ponudi brzine prenosa podataka od 7200 Mbps. Ova memorija visokog kapaciteta će se koristiti za zahtevno procesiranje, uključujući superkompjutere, AI/ML procesiranje i analizu podataka.
 
Pogledajte još: Samsung najavljuje liniju monitora visoke rezolucije za 2021. godinu
Kako bi se obezbedila efikasna potrošnja, korišćena je High-K Metal Gate (HKMG) tehnologija. Pomoću nje, Samsung je uspeo da značajno smanji curenje struje koje bi nastalo kao rezultat konstantnog proređivanja sloja izolacije kako DRAM dizajni postaju sve manji i tanji.
Samsung tvrdi da kompanijin novi DRAM troši za 13% manje energije u poređenju sa dizajnom koji nije HKMG.Izvor: Neowin
 
Benchmark možete pratiti i na društvenim mrežama | Facebook | Twitter | Instagram | YouTube |Na Benchmark forumu uvek možete učestvovati u kvalitetnim i aktuelnim diskusijama iz IT industrije