Samsung pokreće proizvodnju 30-nm 32 Gb MLC NAND čipova sa asinhronim DDR interfejsom

Samsung želi da maksimalno iskoristi prednosti 30-nanometarske proizvodne tehnologije. Osim pravljenja 3-bitne MLC NAND flash memorije, ona će biti korišćena i za kreiranje 32Gb MLC NAND čipova sa asinhronim DDR interfejsom. Nove 32Gb NAND memorije se već isporučuju. Brzina čitanja je deklarisana na 133 Mbps, što je tri puta više u odnosu

Samsung želi da maksimalno iskoristi prednosti 30-nanometarske proizvodne tehnologije. Osim pravljenja 3-bitne MLC NAND flash memorije, ona će biti korišćena i za kreiranje 32Gb MLC NAND čipova sa asinhronim DDR interfejsom. Nove 32Gb NAND memorije se već isporučuju. Brzina čitanja je deklarisana na 133 Mbps, što je tri puta više u odnosu na dosadašnja rešenja, pre svega u vidu SDR MLC NAND memorija. Ove memorije su u stanju da udvostruče protok bez povećavanja potrošnje, što bi dizajnerima uređaja potrošačke elektronike moglo da obezbedi više slobode. Prema tvrdnjama proizvođača, ove memorije se mogu koristiti u širokom spektru uređaja, od SSD-ova, preko memorijskih kartica i moviNAND uređaja, do prenosivih plejera i navigacionih sistema za automobile.


Izvor: Samsung

Ostani u toku

Prijavi se na newsletter listu i jednom nedeljno cemo ti poslati email sa najnovijim testovima i vestima iz sveta tehnologije.

Hvala!

Uspešno ste se prijavili na na naš newsletter! Proverite vaš email nalog kako bi potvrdili prijavu.

Možda vam se svidi