Samsung predstavio nove 4 Gb DRAM čipove

Novi 4 Gb ćipovi nude nižu potrošnju energije u odnosu na druge DRAm čipove. Samsung navodi da su oni u stanju da rade na 1,35 V, što je niže u odnosu na referentnih 1,5 V. Navodi se da će se novi 4 Gb čipovi koristiti u 16 GB RDIMM modulima, 8 GB UDIMM modulima, kao i 8 GB SODIMM modulima. To znači da će je biti i u serverskim i u desktop i u mobilnim računarima. Samsung navodi da je podržano i korišćenje dual-die package tehnologije, zahvaljujući čemu će biti moguće spakovati dva 16 GB modula sa 4 Gb čipovima u jedan paket ukupnog kapaciteta 32 GB. Maksimalna brzina je deklarisana na 1.6 Gbps, a u proseku će 16 GB modul trišiti oko 40% energije manje u odnosu na istovetan modul koji koristi 2 Gb DDR3 čipove. Izvor: Dailytech