Samsung započeo masovnu proizvodnju 20nm 4 gigabit DDR3 RAM-a

Samsung je započeo masovnu proizvodnju onoga što naziva “najnaprednija DDR3 memorija”. Memorija je bazirana na 20nm proizvodnom procesu, koji Samsung koristi već gotovo dve godine. Ovoga puta, 4 gigabit moduli su DDR3, a ne DDR2, za koje Sasmsung koristi ArF litografsku imerziju. Samsung se nada da će pomenuta tehnologija dosta pomoći u budućim 10nm DRAM memorijama. Kada je 20nm DDR3 RAM u pitanju, Samsung navodi da ova memorija troši za 25 odsto mannje energije u poređenju sa 25nm DDR3 modulima, dok je produktivnost povećana za 30 odsto. Novi 4Gbit DDR3 čipovi se očekuju u narednim mesecima.