Sony i Toshiba razvili DRAM ćeliju za proizvodnju u 45 nm procesu

Kompanije Sony i Toshiba su objavile da su razvile prvu DRAM
memorijsku ćeliju prikladnu za 45 nm proces proizvodnje koja na slicijumskom
vaferu zauzima svega 0,069 kvadratnim mikrometara. Sony i Toshiba su zajednički
razvijali i 90 nm i 65 nm procese proizvodje koje Toshiba označa kao COMS4 i
CMOS5, dok 45 nm proces označava kao CMOS6.
Kompanije su pronašle način kako da kompenzuju pad kapacitivnosti takozvanog deep
trench kondenzatora koji nastaje sa smanjenjem njegovih dimenzija time što su
mu promenile oblik i povećale površinu. Takođe, kao high-K dielektrik je po prvi
put primenjen aluminjum-oksid.
Obe kompanije su investirale oko 20 milijardi jena u razvoj 45 nm procesa, a
na projektu je radilo 150 inženjera oba preduzeća u laboratorijama kompanije
Toshiba u gradu Oiti. Sve ključne tehnologije ove dve kompanije za proizvodnju
u 45 nm procesu bi trebalo da budu razvijene do marta 2007. godine.

Izvor: EE Times