Freescale razvio tranzistor sa dve gejt elektrode

Freescale Semiconductor je u saradnji sa Univerzitetom Florida razvio prvi tranzistor
sa dve gejt elektrode koji se može upotrebljavati u integrisanim kolima. Veruje
se da će dual-gejt tranzistori omogućiti prelazak na veoma sitne proizvodne procese,
a uz to doneti i značajno manju potrošnju.
Ideja nije nova, pošto su AMD, Intel i IBM u poslednjih šest godina puno pričali
o ovakvim tranzistorima, međutim Freescale je prvi koji je ponudio licence na
tehnologije za izradu dual-gejt tranzistora. Kompanijin glavni tehnološki rukovodilac,
Klodin Simson, kaže da su ovakvi tranzistori najozbiljniji kandidat za primenu
u 45 nm procesu. Oni se zasnivaju na field effect transistor (FinFET) tehnologiji
kod koje malo parče silicijuma sprečava elektronsko curenje u stanju mirovanja
tranzistora.
AMD je još pre tri godine najavio da će dual-gejt tranzistori omogućiti izradu
procesora sa preko milijardu tranzistora na sebi. Freescale i Univerzitet Florida
su svoje dual-gejt tranzistore razvijali pet godina i veruju da će oni omogućiti
bolje performanse tranzistora i spuštanje do 18 nm CMOS procesa.

Izvor: Tom’s Hardware
Guide