Prvi Samsung 3 nm čipovi namenjeni rudarenju kriptovaluta, ne stižu za S23 seriju

Iako Qualcomm nije bio zadovoljan performansama svojih vodećih Snapdragon čipova koje je pravio Samsung, ova kompanija je prestigla TSMC i Intel i prva osvojila 3 nm proizvodni proces. Kada je Samsung ranije ove godine objavio da je započeo masovnu proizvodnju čipova koristeći svoju 3GAE (3nm-klasu, gate-all-around early) tehnologiju, kompanija nije objavila koje komponente pravi u ovom proizvodnom procesu. Prema najnovijim informacijama, prvi mačići izgleda idu za pravljenje specifičnih integrisanih kola (ASIC) koja se koriste za rudarenje kriptovaluta.
Samsung 3GAE tehnologija proizvodnje je prvi proces u industriji koji se oslanja na gate-all-around (GAA) tranzistore koje Samsung naziva MBCFET. Arhitektura GAA tranzistora smanjuje „curenje struje“ jer je kapija (gate) sada okružena kanalom sa sve četiri strane. Arhitektura takođe omogućava promenu performansi tranzistora i potrošnje energije podešavanjem debljine kanala(a). GAAFET-ovi su posebno korisni za aplikacije visokih performansi i mobilne aplikacije, zbog čega kompanije kao što su Intel i TSMC naporno rade da bi ih koristili u periodu od 2024. do 2025. godine, piše Tom’sHardware.
Međutim, želje su jedno, a realnost druga, pa će tako prvi komercijalni čip koji koristi GAAFET biti ASIC za rudarenje kriptovaluta, navodi TrendForce. Prema istom izveštaju, Samsung će proizvoditi mobilne čipsetove koristeći 3GAE proces proizvodnje tek sledeće godine.

Čipovi za rudarenje kriptovaluta su dobra sredstva za testiranje nove proizvodne tehnologije jer su relativno jednostavni, mali i sadrže brojne slične jedinice i strukture koje se mogu koristiti za redundantnost radi postizanja prihvatljivih prinosa. Nasuprot tome, mobilni čipsetovi integrišu mnoštvo potpuno različitih delova koji koriste različite strukture tranzistora, što onemogućava izgradnju redundantnih jedinica. Uz to, logično je da Samsung koristi ASIC-ove za rudarenje kriptovaluta kako bi saznao više o performansama, snazi i gustini defekata svog 3GAE proizvodnog procesa. Stoga je Samsung u prošlosti takođe koristio MinerVa ASIC za rudarenje da testira svoje 7 nm čipove.
Iako je Samsung obično formalno ispred kompanija TSMC i Intel sa potpuno novim proizvodnim procesima, u mnogim slučajevima slični čipovi napravljeni u TSMC-u mogu raditi brže i imati veće prinose. Možda kompanija postavlja previše agresivne ciljeve koji se ne mogu postići istovremeno, ali izgleda da je Samsung 3GAE dovoljno dobar za proizvodnju ASIC-ova za rudarenje kriptovaluta sa mobilnim SoC-ovima koji po pravilu na red dolaze kasnije.
Kada će to tačno biti je možda važnije pitanje, jer Samsung obično predstavlja svoje potpuno nove SoC-ove za svoje vodeće pametne telefone početkom godine. Korišćenje njegovog 3GAE čvora za pravljenje naprednog SoC-a bilo bi korisno za njegove pametne telefone, iako izgleda da 3GAE možda neće biti spreman za narednu generaciju Galaxy S telefona.