Samsung započeo proizvodnju memorije u 70 nm procesu

Samsung je objavio da je započeo proizvodnju NAND fleš memorijskih
čipova od 4 Gbita koristeći 70 nm proces. Kompanija kaže da će ovakvi čipovi
ponuditi veći kapacitet po nižoj ceni i omogućiti digitalnim fotoaparatima da
memorišu slike veće rezolucije u realnom vremenu.
Samsung je svoje prve NAND čipove od 4 Gb počeo da proizvodi još 2003. godine,
a od onda je predstavio i čipove od 8 Gb. Ipak, novi čipovi sa svojim sićušnim
memorijskim ćelijama će biti veoma malih dimenzija i prilično jeftini za proizvodnju.
Samsung kaže da je za njihovu izradu u 70 nm procesu razvio i posebne foto-litorafske
metode uz korišćenje argon-fluoridnog izvora svetlosti.
Na Samsungove 70 nm čipove će moći da se upisuju podaci brzinom od 16 MB/s,
dvostruko brže nego na čipove ove kompanije izrađene u 90 nm procesu. Kompanija
će 70 nm NAND čipove izrađivati na 300 mm vaferima i mesečno će štancovati oko
4 hiljade podloga sa njima, a do kraja ove godine Samsung će povećati proizvodnju
na 15 hiljada vafera mesečno.
Samsung već dominira tržištem NAND memorije na kojem je zastupljen sa oko 58,5
%. Kompanija je u prvom kvartalu godine od prodaje fleš memorije zaradila 1,2
milijarde dolara.

Izvor: Tom’s Hardware
Guide