Otpočela je nova era: Samsung krenuo u proizvodnju 3 nm čipova

Iako Samsung nije otkrio detalje oko noda koji se ovde koristi, izgleda da je u pitanju 3GAE proces. Kompanija je najavila da se radi o čipovima visokih performansi sa malom potrošnjom, uz napomenu da nisu u pitanju mobilni procesori i da će oni doći kasnije.
Kao i do sada, prvi nodovi služe za internu upotrebu, što znači da za sada nema dostupnih 3 nm čipova, ali i da je samo pitanje vremena kada ćemo videti prve 3 nm čipove za široku potrošnju. Ono što je interesantno je da je Samsung predstavio nove nodove bez mnogo pompe, uz napomenu da sve ide po planu.

Još jedna od nepoznanica je sposobnost kompanije Samsung da proizvede velike količine ovih čipova, kao i koliki im je prinos upotrebljivih čipova po waferu. Samsung na 3 nm/GAAFET tehnologiji radi još pre 2019. godine, a test čipovi su proizvedeni još prošle godine, što znači da je kompanija imala više nego dovoljno vremena da obavi potrebne pripremne radnje pre najave nove litografije.
Malo o tehnologiji
Samsung koristi GAA tehnologiju tranzistora, odnosno Multi Bridge Channel FET (MBCFET), a radi se o nano-listovima implementaciji. FET-ovi zasnovani na nano-listovima su izuzetno prilagodljivi, a širina nan olistova je ključna metrika u definisanju karakteristika snage i performansi: što je već širina, to su već performanse (pri većoj snazi). Kao rezultat toga, različite vrste dizajna tranzistora koji se fokusiraju na malu snagu mogu da koriste manje nano-listove, dok logika koja zahteva veće performanse može da se koristi za šire listove.

Od informacija koje je Samsung podelio, postoji poređenje veličine i performansi 3GAE sa starijim nodovima. Zvanično, 3GAE može da ponudi 45% manju potrošnju i 23% bolje performanse u 5 nm proizvodnim procesom, uz ukupno smanjenje veličine od 16% procenata, piše Anandtech.