Hynix je načinio nove proboje u tehnologijama proizvodnje memorija. Devet meseci nakon kreiranja 1 Gb čipa u 54-nanometarskoj tehnologiji, Hynix je saopštio da je završio razvoj prvog 2 Gb Low Power DDR2 DRAM čipa. Novi memorijski čipovi se izrađuju korišćenjem 40-nanometarskog procesa. Rade na 1066 Mbps pri 1.2 V, imaju propusni opseg od 4.26 GB/s i namenjeni su korišćenjima unutar mobilnih uređaja, kao što su smartfonovi, tablet računari i smartbook uređaji. Sempliranje Hynix-ove 2 Gb LP DDR2 DRAM memorije počinje uskoro. Masovna proizvodnja je zakazana krajem prve polovine ove godine.
Izvor: TC Magazine