Hynix se ponosi novim 2 Gb DRAM čipovima

Novi 2 Gb čip se može koristiti i
za SDRAM i DDR DRAM dizajn. Novi čipovi troše 1.2 V i imaju maksimalnu
brzinu od 400 Mbps. Očekuje se da će ovo omogućiti memorije veće
gustine i kapaciteta. Početak masovne proizvodnje 2 Gb DRAm memorija se
očekuje tokom prve polovine 2009. godine. Izvor: TechConnect

Novi 2 Gb čip se može koristiti i
za SDRAM i DDR DRAM dizajn. Novi čipovi troše 1.2 V i imaju maksimalnu
brzinu od 400 Mbps. Očekuje se da će ovo omogućiti memorije veće
gustine i kapaciteta. Početak masovne proizvodnje 2 Gb DRAm memorija se
očekuje tokom prve polovine 2009. godine. Izvor: TechConnect

Ostani u toku

Prijavi se na newsletter listu i jednom nedeljno cemo ti poslati email sa najnovijim testovima i vestima iz sveta tehnologije.

Hvala!

Uspešno ste se prijavili na na naš newsletter! Proverite vaš email nalog kako bi potvrdili prijavu.

Možda vam se svidi