Infineon i Micron predstavili RLDRAM II

Infineon Technologies i Micron Technology su danas najavili predstavljanje kompletne specifikacije “Reduced Latency” DRAM II (RLDRAM, DRAM smanjene latencije) arhitekture. Radeći na brzini od 400 MHz, RLDRAM II su proizvodi naredne generacije, vrlo brzih Double Data Rate (DDR) SDRAM memorije koja kombinuje vrlo visoku brzinu čitanja i pisanja, kao i veliki protok informacija.
RLDRAM arhitektura je dizanirana da izađe u susret zahtevima za brzom memorijom velikog protoka. Arhitektura ove memorije se odlikuje podelom na 8 banki, sa maksimalnim protokom od 28,8 GB/sekundi, koristeći 36-bitni interfejs i 400 MHz klok.
RLDRAM II memorija postoji u standardnom 144-ball FBGA, 11 x 18.5 mm pakovanju, koje omogućuje izuzetnu brzinu prenosa podataka i predstavlja jednostavno unapređenje sa prethodnika. RLDRAM II memorije postoje u tri konfiguracije: 36×8 MB, 18×16 MB, i 9×32 MB.
Izvor : Xbitlabs