Intel predstavlja 90-nanometarsku tehnologiju

Američki gigant Intel je najavio 90-nanometarsku tehnologiju u proizvodnji čipova takozvanom metodom “napregnutog” silicijuma (strained silicon). Ova tehnologija će biti predstavljena 9.decembra ove godine u glavnom gradu SAD, Vašingtonu, na IEM skupu (International Electronics Meeting). Čipovi će se standardno izrađivati u 300-milimetarskim vaferima.
Po Intelu, ova tehnologija će se implementirati u budućim Pentium 4 i Pentium-M procesorima. Takođe, naglašeno je da se “napregnuti” silicijum može koristiti i u 65-nanometarskoj tehnologiji, a da će njen kraj biti na 45-nanometarskoj tehnologiji. Kompanija je saopštila da se dobitak rapidno poboljšao sa ovom tehnologijom i da je procenat neuspešnih primeraka daleko manji od 130-nanometarske tehnologije, što se vidi na grafiku (kliknite na sliku da bi uvećali grafik):

Na slikama ispod možete videti shemu izgleda nove Intelove tehnologije (levo), a i uvećan izgled jednog tranzitora unutar procesora (desno).

Masovna proizvodnja čipova (čitaj procesora) sa ovom tehnologijom će krenuti u Leixlipu, Republika Irska, početkom januara.
Izvor : The Inquirer