Nova fleš memorija na vidiku – QLC NAND, 96-slojni NAND!

ISSCC 2018 je manifestacija koja se održava 11. februara u Kaliforniji, a glavna tema jesu tehničke inovacije na polju 3D NAND memorije. Samsung će govoriti o svojoj QLC 3D NAND tehnologiji sposobnoj da čuva 4-bita informacija u jednoj memorijskoj ćeliji, što u krajnjem daje kapacitet od čak 1 Terabita po memorijskom čipu. U isto vreme Tosihiba i WD će na programu imati novu generaciju 3D NAND arhitekture izređene u 96 slojeva…
 
Samsung je već pričao o novom tipu QLC NAND memorije koja će omogućiti proizvodnju SSD diskova kapaciteta 128 TB. Dotična fleš memorija je peta generacija Samsung 3D NAND memorije koju ovaj proizvođač obeležava terminom V-NAND (V5). Toshiba i WD će takođe predstaviti sopstvenu QLC-3D-NAND verziju memorije u verziji 768 Gigabita BiCS3 i onu sledeće generacije BiCS4 kapaciteta 1024 Gigabita po jednom memorijskom čipu.
 
Samsung će korisnike ponovo podsetiti na Z-NAND memoriju i odgovarajuće Z-SSD diskove. U pitanju je SLC NAND fleš memorija koja u kombinaciji sa specijalnim kontrolerom postiže izuzetno niske latencije u radu. Minimalno kašnjenje u odzivu memorije od svega 15 nanosekundi što joj omogućuje performanse bliske Intel Optane SSD tehnologiji i odgovarajućim 3D XPoint proizvodima sa latencijom manjom od 10 nanosekundi.