Benchmark Redakcija
Samsung Electronics je saopštio da je uspeo da kreira prve 30-nanometarske DDR3 DRAM memorijske čipove, gustine 2 Gb. Prema tvrdnjama južnokorejske kompanije, ovakva izrada drastično povećava produktivnost. Tako imamo da korišćenje 30-nanometarske tehnologije omogućava kreiranje 60% više čipova u odnosu na 40-nanometarsku od iste količine materijala, i udvostručuje efikasnost proizvodnje u odnosu na 50-nanometarsku izradu. Novi 30-nanometarski 2 Gb DRAM čipovi takođe troše 30% manje energije u odnosu na 50-nanometarski DRAM. Namenjeni su korišćenju u apsolutno svim oblastima gde se danas koristi DDR3 memorija, od desktop i notebook računara, preko servera, do mobilnih uređaja. Očekuje se da će masovna proizvodnja uslediti u drugoj polovini ove godine.
Izvor: TC Magazine
