Samsung počeo sa masovnom proizvodnjom 40-nm 4 Gb DDR3 čipova

Samsung Electronics je spreman da omogući kupcima nove opcije kada se radi o DDR3 RAM memorijama. Kompanija je saopštila da je počela sa proizvodnjom 4 Gb DDR3 DRAM čipova korišćenjem 40-nanometarskog proizvodnog procesa. Novi čipovi visoke gustine rade na 1.5 V ili 1.35 V, rade na do 1600 MHz, i već se koriste u izradi 16 GB i 32 GB RDIMM i 8GB SO-DIMM modula. Sada kada je u stanju da proizvodi 40-nanometarske čipove, Samsung ima velike planove za eksploataciju ovog proizvodnog procesa. Naime, kompanija planira da u dogledno vreme preko 90% svoje DDR DRAM proizvodnje prebaci u ovaj proizvodni proces.

Izvor: Samsung