Samsung predstavio 10nm LPDDR4 6GB DRAM čip koji će se nalaziti u Galaxy Note 6 uređaju

2012. godine je japanska verzija Samsung Galaxy S III telefona imala 2 GB DRAM memorije, što je u to vreme bilo impresivno, dok je ostatak sveta dobio varijantu od 1 GB DRAM memorije, što je bio tadašnji standard. Nakon četiri godine, polako ulazimo u doba Android uređaja sa 6GB DRAM memorije, a kompanija Samsung je najavila svoj najnoviji DRAM čip od 6 GB koji će biti predviđen za high-end uređaje.
Tokom Samsung Mobile Solutions foruma održanog u Kini juče, korejski gigant je otkrio novi LPDDR4 6GB DRAM čip proizveden pomoću 10nm procesa. To će učiniti da čip bude dosta energetski efikasniji, što će produžiti trajanje baterije na novim uređajima.

U slučaju da su navodne specifikacije istinite, Samsung Galaxy Note 6 će biti veoma moćan telefon, sa 5.8-inčnim AMOLED displejem sa 1440 x 2560 QHD rezolucijom i baterijom od 4000mAh. Samsung je u sve svoje prethodne Galaxy Note uređaje implementirao najnoviji hardver i softver dostupan za taj period, i time bi uglavnom serija fableta bila ispred Samsung Galaxy S serije, tako da ne bi pretstavljalo nikakvo iznenađenje kada bi se novi 10nm LPDDR4 6GB DRAM pronašao unutar Samsung Galaxy Note 6 fableta.
Izvor: Phonearena