Samsung ubrzava razvoj Selector Only Memory  tehnologije

Samsung radi na ubrzanju razvoja obećavajuće nove memorijske tehnologije pod nazivom Selector-Only Memory (SOM). Ova najnovija tehnologija kombinuje zadržavanje podataka flash memorije i munjevite brzine čitanja/pisanja DRAM-a, što joj daje potencijal da ozbiljno utiče na čitavu industriju. Uz to, proizvođači mogu slagati više čipovea radi postizanja veće gustine.

Osnovni koncept SOM-a je korišćenje jedinstvenih halkogenidnih materijala koji imaju dvostruku funkciju kao memorijska ćelija i selektorski uređaj. U tradicionalnom fazno promenljivom ili otpornom RAM-u, potrebna je posebna komponenta, poput tranzistora, koji će delovati kao selektor za aktiviranje svake ćelije. Nasuprot tome, halkogenidni materijal u SOM-u prelazi između provodljivih i otpornih stanja za skladištenje podataka.

Naravno, nije svaki halkogenidni sastav odgovarajući. Materijali moraju imati optimalna svojstva za performanse memorije i funkcionalnost selektora. Da bi pronašao pravog kandidata, Samsung je koristio napredno kompjutersko modeliranje za predviđanje potencijala različitih kombinacija materijala. Kompanija procenjuje da preko 4.000 potencijalnih halkogenidnih mešavina može raditi za SOM. Nažalost, prolazak kroz sve te mogućnosti fizičkim eksperimentima bio bi noćna mora u smislu troškova i vremena.

Međutim, eeNews Analog navodi da su Samsungovi istraživači napravili prečicu, koristeći složene simulacije za pregled hiljada halkogenidnih kombinacija. Istraživački tim je modelirao sve, od svojstava vezivanja do termalne stabilnosti i električnog ponašanja, smanjujući listu na 18 glavnih kandidata za izradu i testiranje.

Simulacije su ispitivale ključne metrike kao što su drift praga napona i “memorijski prozor” koji razdvaja uključena i isključena stanja tokom vremena. Samsung tvrdi da njihove tehnike modeliranja uspostavljaju jasne kriterijume za identifikaciju najperspektivnijih SOM mešavina.

Tim planira da predstavi svoja otkrića na Međunarodnom sastanku o elektronskim uređajima (International Electron Devices Meeting) u decembru. U međuvremenu, Samsung tvrdi da su im modeli omogućili da potencijalno uoče materijale visokih performansi koje bi možda propustili samo tradicionalnim eksperimentalnim metodama.

Ovo računarsko ubrzanje moglo bi dati Samsungu značajnu prednost dok trka za plasiranje SOM-a na tržište ulazi u punu brzinu. Prošle godine na IEDM-u, kompanija je predstavila rezultate na SOM čipu od 64 Gb sa izuzetno gustom veličinom ćelije od 16 nm, dokazujući da je u pitanju pravi konkurent postojećim tehnologijama, prenosi TechSpot.