Benchmark Redakcija
Prema vesti koju je preneo DigiTimes, južnokorejski gigant
Samsung Electronics je nedavno uspeo da znatno unapredi svoj 100 nm proces proizvodnje
integrisanih kola koja se koriste u DRAM memorijskim čipovima. Zvaničnik kompanije
je saopštio da je korišćenjem novih tehnologija škart u proizvodnji jezgara
DRAM čipova smanjen na svega oko 20 %, ali nije želeo da precizno kaže šta je
promenjeno prilikom izrade ovih čipova. Samsung je u februaru izmenio sistem
proizvodnje jezgara DRAM čipova na taj način što je sa oksid-nitrit-oksid (ONO)
dielektrika prešao na dielektrike izrađene od aluminijum(III)-oksida. Poznato
je da je kompanija imala problema sa ovom tranzicijom, tako da se pretpostavlja
da je upravo u ovoj oblasti načinjen naučni proboj koji će omogućiti Samsungu
da još više odmakne konkurentima u oblasti izrade memorijskih čipova. Tajvanski
distributeri kažu da će Samsung ovog meseca povećati isporuke 256 Mbitnih čipova
za milion primeraka, što će svakako pogodovati kupcima u vreme trenutne nestašice.
Kompanija Samsung nije želela da pruži nikakav komentar na ovu priču.
Izvor: DigiTimes
