Samsung za narednu godinu planira 4TB 850 Series SSD

Samsung je objavio da će u 2016. godini predstaviti do 4TB 850 Series SSD-ove, a u njima će koristiti nedavno najavljene NAND čipove, kako bi omogućio ovako veliki kapacitet. U avgustu, tokom flash memory samita, Samsung je najavio svoju V-NAND tehnologiju treće generacije. Nova revizija dolazi povećanje sa 32 na 48 slojeva ugrađenih u NAND flash memoriju.Rana 2016. godina će okvirno biti period kada će Samsung implementirati svoj 3D V-NAND treće generacije. SATA III bazirani 850 Pro i 850 EVO SSD-ovi će biti prvi diskovi u liniji, koji će dobiti NAND nadogradnju, a samim tim i veće kapacitete. Trenutno, maksimalna veličina je 2TB. sa trećom generacijom NAND-a, M.2 format skladišnog kapaciteta će se takođe povećati – manje M.2 verzije će nuditi više skladišnog prostora, do 1TB sa sadašnjih 512GB. Samsung će takođe promeniti imenovanje svojih NAND čipova, pa će se oni umesto 3D V-NAND koristiti samo V-NAND oznaku.Izvor: Guru3D