Nova generacija Micron memorije za mobilne uređaje donosi niz ključnih poboljšanja: brzina prenosa podataka porasla je na čak 10.7 Gbps po pojedinačnom pinu (10.700 MT/s), što je skok od 33% u odnosu na prethodne 1β (1-beta) čipove koji su nudili 7.5 Gbps. Micron ističe da je njihova nova memorija 14% kraća od prethodne generacije, čime omogućava još tanji dizajn mobilnih uređaja, ali i do 20% nižu potrošnju energije.
Pored performansi i dimenzija, značajan napredak ostvaren je zahvaljujući prelasku na naprednu EUV litografiju, što je do sada bio standard uglavnom rezervisan za procesore. Novi RAM moduli donose ne samo bolje performanse već i produženo trajanje baterije, što ih čini idealnim za buduće pametne telefone i prenosne uređaje.

Micron navodi da je nova memorija posebno optimizovana za rad sa veštačkom inteligencijom. Na primeru izvođenja Llama 2 LLM modela na pametnom telefonu, nova RAM memorija donela je 30% brži odziv na upite, 50% bržu obradu prevoda i 25% bolje performanse kod preporučenih sistema.
Trenutne isporuke obuhvataju čipove kapaciteta 16 GB, dok su verzije od 8 GB i 32 GB planirane za kasniju fazu. Micron posebno naglašava da su „flagship pametni telefoni iz 2026. godine“ primarna meta ove memorije, iako se kasnije može očekivati i njena primena u laptop, tablet i mini-računarima, piše Hot Hardware.
Nema komentara 😞
Trenutno nema komentara vezanih za ovu vest. Priključi se diskusiji na Benchmark forumu i budi prvi koje će ostaviti komentar na ovaj članak!
Pridruži se diskusiji