Toshiba izradila novi FeRAM prototip

Novi čip ima pomenuti kapacitet od 128Mb i maksimalnu deklarisanu brzinu transfera od 1.6Gbps. Prikazan je na International Solid-State Circuits Conference 2009 manifestaciji u San Francisku. Čip je izrađen u 130-nanometarskoj tehnologiji korišćenjem nove arhitekture koja sprečava degradaciju signala. Ima DDR2 interfejs i radi na 1.8V. Ono što FeRAM izdvaja od ostalih standarda jeste što je ova memorija u stanju da pruži brzine karakteristične za DRAM memorije, uz mogućnost zadržavanja podataka kada je isključena, što je karakteristika NAND flash memorijskih čipova. Toshiba obećava da će nastaviti sa razvojem FeRAM standarda i kaže da će ciljati tržište mobilnih telefona, uređaja potrošačke elektronike i mobilnih PC računara.

Izvor: TechConnect