3D tranzistori - put u budućnost

Istraživači kompanije Intel razvili su trodimenzionalnu konstrukciju tranzistora
sa tri prekidača, koja omogućava efikasniji utrošak energije u poređenju sa
tradicionalnim planarnim ( pljosnatim ) tranzistorima. Direktor Intelove laboratorije
za razvoj komponenata, Džerald Marčik ( Gerald Marcyk ), objašnjava kako su
istraživanja pokazala da pri prelasku granice od 30nm po osnovici, klasični
tranzistori sa jednim prekidačem imaju isuviše veliko curenje, što ne dozvoljava
dalji razvoj i povećanje gustine pakovanja. Novi tip tranzistora je daleko manji
po svojim dimenzijama i daleko efikasniji po utrošku energije, te će omogućiti
održanje Murovog zakona, bar još neko vreme. Tri-gate tranzistor predstavlja
osnovu Intelove Terahertz tehnologije, koja će u narednim godinama omogućiti
pakovanje milijardi tranzistora radne frekvencije i do 1 THz ( 1000 GHz ). Na
nedavno održanoj prezentaciji nove tehnologije, Intel je predočio prednosti
svog rešenja u odnosu na FinFET tehnologiju, čiji je protagonista
AMD.

Source: Benchmark