Intel razvija fotomaske za ekstremnu UV litografiju

Intel je sklopio sporazum sa kompanijom Corning koji za cilj
ima razvoj posebnih materijala za izradu fotomaski za primenu u procesu ekstremne
ultra-ljubičaste (EUV) litografije koju Intel planira da primeni kako bi bio
u stanju da razvije izuzetno sitna integrisana kola. Ovakve maske će biti ključne
za uspešnu proizvodnju jezgara čipova u 32 nm procesu koji nije daleko od krajnjih
dometa litografskih metoda.
Danas se za izradu integrisanih kola u 90 ili 110 nm procesu najčešće koriste
skeneri koji proizvode svetlost talasne dužine od 193 nm, što je ekvivalentno
slikanju vrlo tankih linija debelom četkicom. EUV litografija će doneti talasnu
dužinu svetlosti skenera od svega 13,5 nm što će biti potrebno za crtanje izuzetno
sitnih šema.
Intel smatra da je za komercijalnu primenu EUV litografije smanjinje nivoa defekata
fotomaski kritično i da će Corning biti u stanju da pomogne po tom pitanju. Intel
planira da sa izradom čipova uz pomoć EUV litografskih alata započne u toku 2009.
godine.

Izvor: Xbit Labs