Još nije vreme za high-k dielektrike

Eksperti koji su se ove nedelje okupili u Južnoj Koreji na
renomiranom International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) skupu
su se složili da će high-k dielektrici u izradu integrisanih kola biti uvedeni
tek 2008. godine sa prelaskom na 32 nm proces. Stručnjaci veruju da će unapređenja
preuzeta iz sveta čipova za mobilne uređaje popraviti performanse tranzistora
u 65 nm i 45 nm procesu u tolikoj meri da uvođenje high-k materijala neće biti
neophodno, kao ni korišćenje metalne gejt elektrode. High-k izolatori će ostati
neophodni u još sitnijim procesima kako bi se smanjio problem velikog tranzistorskog
curenja pri aktiviranju, ali oni neće moći da smanje curenje u mirovanju koje
će predstavljati veliki problem.
Kada je litografija u pitanju, stručnjaci su mišljenja da će se argon-fluoridni
izvor UV svetlosti koristiti u 45 nm procesu u kome će se koristiti tečnosti
radi smanjenja talasne dužine svetlosti, tako da proizvođači neće morati da
nabavljaju nove skenere, što je velika ušteda. Kada je u pitanju prelazak na
još sitniji proizvodni proces, većina se slaže da ekstremna UV litografija pokazuje
najveći potencijal.

Izvor: EE Times