Moore-ov zakon i posle 2015. godine, očekuju u Intelu

Nakon Intelovog saopštenja o osvajanju 85-nanometarske tehnologije proizvodnje tranzistora baziranih na indijum-antimonidu (InSb) slede nove reakcije i planovi u budućim primenama. Ken Dejvid, direktor sektora za istraživanja u Intelu je tim povodom održao konferenciju za štampu u kojoj je izneo neka od svojih očekivanja u budućim eventualnim primenama. On je redukovanje potrošnje označio kao cilj broj 1 u istraživanjima u oblastima poluprovodničke industrije, i izrazio očekivanja da će jednog dana InSb prvo dopunjavati današnje silicijumske čipove, tj. da ćemo prvo imati proizvode u kojima će pojedine komponente biti izrađivane od silicjuma, a pojedine od indijum-antimonida, te da će nakon toga InSB u potpunosti zameniti silicijum. To će omogućiti ubrzanja današnjih najbržih čipova do 50% uz 10 puta manju potrošnju. Intel svoje InSb tranzistore već koristi na voltaži od 0.5V što je grubo rečeno 2-2.5 puta manje od voltaže većine modernih čipova. Shodno ovome Ken Dejvid sa velikim entuzijazmom očekuje buduće proizvode bazirane na InSB i njihove primene u svim granama tehnologije, takođe i očekivanje da će se važenje Moore-ovog zakona produžiti dugo nakon 2015. godine.

Izvor: TG Daily