Benchmark Redakcija
Grupa naučnika sa dva oregonska univerziteta predvođena profesorom
Radžendrom Solankijem razvija novu tehnologiju postavljanja i primene nano-žica
u budućim integrisanim kolima. Fondove za ovako značajan projekat obezbeđuju
Intel, Sharp, FEI, a i senat Sjedinjenih Američkih Država će za njega izdvajati
3,7 milijardi dolara godišnje počev od 2005. godine. Iako danas mnogi vide nano-cevi
kao buduće tranzistore u super-brzim elektronskim kolima, one još uvek imaju
dosta rezvojnih problema zbog čega bi nano-žice mogle predstavljati povoljnije
rešenje. Problem sa nano-cevima i sličnim tehnologijama je to što što su alati
za njihovu proizvodnju mnogo veći od njih samih, tako da se proizvode u velikim
količinama i moraju se "upucavati" na mesto, nakon čega se sve mora
pregledati pod elektronskim mikroskopom. Pored toga, one za sada nisu kompatibilne
sa sadašnjim proizvodnim procesom silikonskog čipa. Ekipa doktora Silankija
se odlučila na drugačije rešenje, naime, oni su uspeli da nano-žice nateraju
da "izrastu" između elektroda ranije postavljenih klasičnim litografskim
procesom. Uz odgovarajući električni potencijal između elektroda i korišćenjem
procesa znanog kao vapor-liquid-solid deposition, oni su uspeli da u laboratoriji
dobiju silicijumske žice širine 5 do 20 nm. Za sada se još radi na tome kako
da se na pravi način uslovi provodljivost nano-žica kako bi se dobio pravi tranzistor,
a i omski otpor interfejsa nano-žice i metalne elektrode je suviše veliki da
bi se mogao koristiti u uređajima. Takođe, standardni način "zaprljavanja"
silicijuma drugim materijalima da bi se dobio poluprovodnik ovde je mnogo komplikovaniji
jer su žice debele manje od 10 atoma.
Izvor: EE Times
