CEO kompanje Raveo iz Elmforda u državi Nju Jork, Sadeg Faris,
kaže da ova kompanija radi na projektu trodimenzionalnih integrisanih kola (3D
IC) koji bi trebalo da donese 1000 puta veću gustinu tranzistora koristeći postojeću
tehnologiju proizvodnje. On kaže da na ovaj način ekonomije u razvoju neće morati
da ulažu milijarde dolara u izgradnju najsavremenijih postrojenja kako bi se
uključile u proizvodnju poluprovodnika. Prema Farisu, velike IT kompanije slepo
prate dosadašnju strategiju usitnjavanja proizvodnog procesa i prelaze sa 130
nm na 90 nm, odatle na 65 nm, pa na 45 nm, a svaka od tih tranzicija ih košta
milijarde dolara. Proizvođači nailaze na sve veće probleme što idu dalje u mikrokosmos
i pitanje je da li će uopšte uspeti da stignu do 45 nm, a povećanje gustine
koje će moći da ostvare prelaskom sa 130 nm na 45 nm iznosi svega oko 20 puta.
Metod kompanije Raveo se zasniva na ljuštenju 5 mikrona debelog sloja na kome
se nalaze sićušne elektronske komponente sa površine vafera. Vafer se ponovo
može upotrebiti u proizvodnji za dobijanje novih slojeva koji se potom ponovo
ljušte. Može se povezati do 1000 tako dobijenih slojeva i na taj način dobiti
, recimo, terabit DRAM memorije zapremine kocke šećera.
Raveo je pokrenuo projekat po imenu InventQjaya u saradnji sa vladom Malezije,
a planira da otvori i filijalu u Indiji. Neke od novih tehnologija ove kompanije
su već počele da primenjuju njene podružnice u SAD i Tajvanu. Raveo ima dugu
tradiciju inovacija u mnogim oblastima, a među nekim od njenih pronalazaka su
i metal-vazdušne gorivne ćelije, hardver za sekvenciranje DNK, naročiti 3D displej
itd.
Izvor: IDG