Bolja od NAND-a, razvijena brža i ekonomičnija memorija

Feroelektrična svojstva hafnijuma u kombinaciji s drugim elementima čine ga obećavajućim materijalom za memorijske kartice i SSD-ove. Umesto da se obraćaju pojedinačnim segmentima brojeći električne impulse, kao što je slučaj sa NAND fleš memorijom, predstavljeni poluprovodnik može promeniti svoju polarizaciju kada se primeni električno polje. Ovaj princip omogućava mnogo brži i efikasniji pristup različitim oblastima memorije sa kojih se mogu samo čitati podaci.

Ranije je širina primenjenog napona bila preniska. Dodavanjem aluminijuma hafnijum oksidu, ovaj okvir za moguće napone, mogao bi biti proširen sa 2 na 10 volti.

Ovo bi trebalo da omogući konstrukciju QLC (quad-level ćelija) koje skladište 4 bita u svakom tranzistoru. To znači da ukupno 16 različitih stanja može biti sačuvano u jednoj memorijskog ćeliji.

Nova memorija je bolja od postojeće NAND generacije

Sa ovom arhitekturom je omogućeno da nekoliko terabajta podataka može biti sačuvano na najmanjim čipovima. Na odgovarajućem SSD-u, ovo bi na kraju rezultiralo znatno većim kapacitetom za čuvanje podataka.

Shutterstock

Pored mnogo bržeg pristupa informacijama, potrebni radni napon je manji nego kod NAND fleš memorije. Umesto ranije potrebnih 18 volti, sistem radi sa pomenutih 10 volti. Ovo dodatno smanjuje potrebu za energijom prilikom operacija pisanja i čitanja podataka.

Preliminarni testovi izdržljivosti, pokazuju koliko je praktičan razvoj već uznapredovao. Prema studiji, testiranje sa milion pristupa je već završeno s pojedinačnim ćelijama. Nije slučajno da celokupno istraživanje finansira Samsung.

Ostaje samo jedan problem, a to je upotreba hafnijuma. Koliko god električna svojstva ovog elementa obećavala, a koji se ovde koristi kao hafnijum aluminijum oksid, element je redak. Iako je češći od zlata, on zapravo nije čist mineral.

Umesto toga, nalazi se u sitnim tragovima u drugim mineralima i zbog toga ga je izuzetno teško dobiti klasičnim vidom eksploatacije – rudarenjem. Na kraju krajeva, potreban je samo sloj od 25 nanometara po ćeliji.

Izuzetno brza, velika i super efikasna memorija mogla bi takođe postati prilično skupa ako se do tada ne pronađe zamenski materijal, prenosi Notebookcheck.