Samsung planira proizvodnju SSD uređaja velikog kapaciteta, osvajanjem 290-slojne 3D NAND tehnologije

Samsung Electronics bi uskoro trebalo da započne masovnu proizvodnju 9. generacije V-NAND fleš memorije tokom ovog meseca, prema izveštaju koji prenosi Hankyung. Nova generacija Samsung 3D NAND memorije će imati 290 aktivnih slojeva, što je značajno povećanje u odnosu na dosadašnjih 236 slojeva i činjenica koja sa sobom donosi značajnu promenu u načinu na koji se ove fleš memorije prave.

Izveštaj o V-NAND memoriji 9. generacije izrađene u 290 slojeva je u suprotnosti sa zvaničnim planovima kompanije Samsung da uvede 3D NAND memoriju sa preko 300 slojeva 2024. godine, tako da nove informacije uzmite sa dozom rezerve.

Samsung NAND 9. generacije za SSD većeg kapaciteta

U međuvremenu, je moguće da je Samsung odlučio da smanji broj aktivnih slojeva u svojoj V-NAND memoriji kako bi povećao stopu prinosa ispravnih čipova. Povećanje prinosa po cenu smanjenja gustine pakovanja tranzistora, može biti dobar način da se smanje proizvodni troškovi SSD uređaja, posebno diskova namenjenih za mejnstrim tržište i jeftine sisteme.

Samsung

Ključna karakteristika 9. generacije Samsung V-NAND memorije sa 290 operativnih slojeva je tzv tehnika proizvodnje nizova. Proizvodni proces koji koristi tehnologiju slaganja nizova, uključuje ugradnju CMOS sloja sa logikom, zatim 145-slojnog 3D NAND memorijskog niza na vrhu i još jednog 145-slojnog 3D NAND fleša na vrhu. Iako je ova proizvodna tehnika složena, ona je potpuno spremna da poveća prinose u proizvodnji 3D NAND memorijskih proizvoda koji koriste na stotine operativnih slojeva, jer je lakše izgraditi dva 145-slojna 3D NAND, nego jedan 3D NAND čip od 290 slojeva.

Veći broj aktivnih slojeva bi trebalo da omogući Samsungu da poveća gustinu snimanja podataka na 3D NAND uređajima. Povećanje gustine pakovanja i upisa podataka na 3D NAND memoriju je glavni cilj za sve proizvođače NAND čipova, pošto potražnja za fleš memorijom neprekidno raste u ovom delu industrije.

Povećanje broja slojeva u 3D NAND uređajima istovremeno povećava efikasnost proizvodnje. Obično, proizvođači 3D NAND memorije imaju tendenciju da značajno povećaju broj slojeva sa prelaskom na tehnološki savremeniji proces izrade tranzistora. Ovo možda ne važi u slučaju sa Samsung V-NAND memorijama 9. generacije sa 290 slojeva, jer izgleda da se postojeća tehnologija prvenstveno koristiti za učenje slaganje nizova u masovnoj proizvodnji. Takođe, moguće je da će sa 9. generacijom V-NAND Samsung memorija staviti veći fokus na 3D QLC NAND memorije koje snimaju četiri bita informacija po jednoj ćeliji, umesto tri kod 3D NAND TLC memorija.

Gledajući u budućnost, Samsung ima agresivne planove za održavanje svoje vodeće pozicije na 3D NAND fleš tržištu uvođenjem 3D NAND čipova sa još većim brojem slojeva. Nakon lansiranja 290-slojnog V9, kompanija namerava da objavi 430-slojnu, 10. generaciju V-NAND memorija u drugoj polovini 2025. godine. U međuvremenu, ostali igrači ne zaostaju mnogo na ovom delu tržišta. SK Hynix se priprema za proizvodnju 321-slojnog NAND-a do početka sledeće godine, dok kineski YMTC planira prelazak na proizvodnju od 300 slojeva do druge polovine 2024. godine, navodi se u ovom izveštaju.