Samsung razvija 3D NAND flash memoriju sa 160 slojeva

Samsung Electronics, prema navodima, razvija svoju sedmu generaciju V-NAND memorije, sa ultra-visokom 3D tehnologijom slaganja. Prvi model će imati 160 slojeva, dok će modeli nakon njega imati i više. Prvi 160-slojni Samsungov V-NAND bi trebalo da se pojavi pred kraj 2020. godine.U srcu ove ultra-visoke 3D memorije nalazi se Samsungova Double Stack tehnologija, koja kreira elektronske otvore u dva različita vremenska okvira, kako bi se omogućilo da struja prolazi kroz provodnike.
 
Pogledajte još: Samsung je postavio novi benchmark rekord za 5G brzine (video)
Očekuje se da će 160-slojni NAND flash ponuditi 67% povećanja u gustini po paketu u odnosu na čipove sa 96 slojeva, koji su trenutno na tržištu. Gustine bi takođe mogle biti povećane prelaskom na noviji metod proizvodnje poluprovodnika, PLC (5 bits per cell), a ovaj metod trenutno razvija KIOXIA.Izvor: TechPowerUp
 
Benchmark možete pratiti i na društvenim mrežama | Facebook | Twitter | Instagram | YouTube |Na Benchmark forumu uvek možete učestvovati u kvalitetnim aktuelnim diskusijama iz IT industrije