Aleksandar Božović
Na Flash Memory Summit 2022 sajmu, jedan od vodećih kineskih proizvođača memorije – Yangtze Memory (YMTC) je zvanično predstavio četvrtu generaciju 3D NAND TLC fleš memorijskih čipova dobijenih Xtacking 3.0 arhitekturom sa oznakom X3-9070. Poredeći je sa prethodnom generacijom sličnih memorija, X3-9070 raspolaže većim kapacitetom i značajno boljim transferom podataka.
3D NAND
Prema vestima koje prenosi Tech Insights, Yangtze Memory će X3-9070 NAND memoriju masovno proizvoditi i ugrađivati u proizvode za skladištenje. Prvi proizvod u kome će se naći nova generacija 3D NAND memorije ovog renomiranog proizvođača je SSD pod oznakom TiPlus 7100, a takođe će se koristiti i na 2 TB modelu serije CC700 kompanije Hikvision, a što je praktično prvi komercijalno dostupni SSD sa fleš memorijom u 200 i više slojeva. Proizvodi ove kompanije su veoma česti u ponudi Aliexpress-a, što znači da nisu “egzotika”, već sasvim realni proizvodi koje ćete moći da kupite.
Uglavnom, ono što je bitno jeste činjenica da je ovaj kineski proizvođač izašao na tržište sa proizvodom poslednjih tehničkih specifikacija i koristi najsavremeniju tehnologiju izrade poput rešenja vodećih proizvođača koji vladaju ovim delom tržišta: Samsung, Micron, Toshiba, SK Hynix i drugi.
X3-9070
Prema rečima proizvođača X3-9070 postiže transfer od 2400 MT/s, a što je u skladu ONFY 5.0 specifikacijama. Performanse su upola bolje od NAND memorija prethodne generacije, čime lako dolazite do brojke od 10000-11000 MB/s i specifikacija koje su pogodne za ugradnju u SSD uređaje PCIe 5.0 generacije.
Ovako dobre performanse i uopšte karakteristike, X3-9070 duguje “crystal stack 3.0” arhitekturi, zbog koje je ova memorija postala tip fleš memorije sa najvećom gustinom pakovanja prostora za skladištenje u istoriji YMTC kompanije, sa pojedinačnim NAND čipovima kapaciteta 128 GB.
Ova memorija koristi strukturu 6 vertikalnih ravni sa memorijskim ćelijama od kojih svaka nezavisno može da isporuči određeni podatak, čime zapravo poboljšava performanse za 50% u odnosu na tradicionalno rešenje sa 4 ravni. Pored performansi, ovakva struktura gušće pakovanih memorija, štedi energiju pa zbog toga troše za četvrtinu manje struje, nego čipovi prethodne generacije.
Podsećamo vas da je Micron ranije ove godine, tačnije u maju mesecu, objavio kako je uspešno osvojio postupak izrade 232-slojne NAND memorije, ali da sama proizvodnja 3D TLC memorije, neće početi pre kraja godine. Micron koristi CuA arhitekturu i tzv “string stacking” tehnologiju slaganja slojeva silcijuma. Inicijalni kapacitete NAND čipova je 128 GB.
Nakon toga je usledila avgustovska objava južnokorejskog giganta, kompanije SK Hynix koji je takođe osvojio 238-slojni proces izrade fleš memorije sa najvećim brojem složenih slojeva i čije je prototip TLC 4D NAND uzorke od 512 GB, prosledio partnerima na testiranje. Ipak sve oči su uprte u najvećeg NAND proizvođača, kompaniju Samsung koja nije izostala “iz vozića” saopštenja da će uskoro započeti masovnu proizvodnju 8. generacije nadaleko čuvene V-NAND memorije u vidu 128 GB velikih memorijskih čipova u tehnologiji izrade od 236 slojeva.
Na kraju, saopštenja i objave vodećih su pala u senku činjenice da je upravo kineski proizvođač prvi krenuo sa konkretnim proizvodima, tako da će upravo njegova NAND memorija u vidu SSD uređaja prva doći do kupaca što je veliko dostignuće za kinesku industriju poluprovodnika.
