Hynix kreirao triple-level-cell NAND flash čipove

Proizvođač memorija Hynix je objavio da je ostvario novi napredak u proizvodnji NAND flash memorija. Ova kompanija je uspešno kreirala svoj prvi triple-level-cell 32 Gb flash čip. On je oko 30% manji od aktuelnih 32 Gb modela i omogućiće jeftinije čipove veće gustine. Korišćenjem nove memory signal processing (MSP) tehnologije, Hynix je uspeo da ukloni šumove i smetnje u signalu, koji su se dešavali kada su ranije pokušavali da kreiraju čip sa tri osnovna sloja. Tu nije kraj, pošto Hynix planira da uradi nešto slično sa four-level-cell NAND čipovima u dogledno vreme. Masovna proizvodnja triple-level-cell (TLC) NAND flash čipova se planira za oktobar. Prvi modeli će biti izrađivani u 48-nanometarskoj proizvodnji i imaće kapacitet od 32 Gb.

Izvor: TechConnect