Intel je najavio nove tehničke detalje o svojoj 18A tehnologiji proizvodnje čipova (klasa od 1,8 nm) pred predstojeći VLSI simpozijum 2025. godine, ističući značajna unapređenja u oblasti potrošnje, performansi i pakovanja tranzistora u odnosu na prethodnu Intel 3 tehnologiju.
Prema Intelovim podacima:
- Na naponu od 1,1 V, 18A omogućava 25% bolje performanse pri istoj složenosti dizajna i 36% nižu potrošnju energije pri istoj frekvenciji u poređenju sa Intel 3.
- Na nižem naponu od 0,75 V, donosi 18% bolje performanse i 38% nižu potrošnju.
- Površinska efikasnost je poboljšana sa 0,72 puta manjim zauzećem površine u odnosu na Intel 3.
Tehnološke novine 18A procesa
RibbonFET tranzistori (gate-all-around), koji zamenjuju klasične FinFET tranzistore, omogućavaju bolje upravljanje strujom i veću gustinu pakovanja tranzistora.
PowerVia, sistem napajanja sa zadnje strane čipa (BSPDN), oslobađa prostor na prednjoj strani za bolje rutiranje signala, što doprinosi kompaktnijem dizajnu i boljoj energetskoj efikasnosti.
Planovi za proizvodnju i industrijski interes:
Intel planira da do kraja godine krene sa masovnom proizvodnjom čipleta za Panther Lake procesore za klijent PC računare, a početkom 2026. i za Clearwater Forest servere.
Prvi dizajn za druge kompanije na 18A tehnologiji bi trebalo da budu završen sredinom 2025.
U radu koji Intel priprema za simpozijum učestvuju i inženjeri iz Apple-a, Nvidia-e i Alphawave Semi, u okviru prezentacije PAM-4 predajnika na 18A procesu, što ukazuje na interesovanje za ovu tehnologiju, iako ne znači da će Apple ili Nvidia koristiti 18A u komercijalnim proizvodima.
Dok TSMC-ov N2 proces (2 nm) ostaje dominantan izbor za većinu vodećih igrača u ovom delu industrije, Intel 18A je ključan za budućnost Intel Foundry servisa i dokaz sposobnosti kompanije da razvije i isporuči konkurentnu proizvodnu tehnologiju, prenosi Tomshardware.
Nema komentara 😞
Trenutno nema komentara vezanih za ovu vest. Priključi se diskusiji na Benchmark forumu i budi prvi koje će ostaviti komentar na ovaj članak!
Pridruži se diskusiji