Kineski proizvođač planira da proizvede DDR5 memoriju brzine preko 10.000MHz

Znamo da će naredna generacija DDR5 memorije biti brza, a kolika će ta brzina biti zavisiće od više faktora. Trenutno, veliki broj kompanija radi na aspektu brzine a pojavio se izveštaj da kineska kompanija Netac Technology planira da kreira DDR5 DRAM module, sposobne za brzine preko 10.000MHz.Iako nije potvrđeno, ove vesti bi značile da bi memorija kompanije Netac mogla da ostvari više od 10.000 MT u sekundi.Kompanija će, prema navodima, koristiti Micron IFA45 Z9ZSB memorijske čipove, a za početak će postojati 16GB (2GB x8) moduli. Čipovi su kreirani u Micronovom 1z nm DRAM procesu i nude 40-40-40 sub-tajminge. Prošle godine, Micron je istakao da kompanijina DDR5 memorija može da ostvari do 6400 MT/s.
 
Pogledajte još: T-FORCE Gaming donosi narednu generaciju DDR5 memorije za overklokovanje
Netac nije jedina kompanija koja sprema zanimljiva rešenja u sferi DDR5 proizvoda. Samsung je nedavno objavio da kreira prvi svetski 512GB DDR5 modul, sa maksimalnim brzinama do 7200 MT/s.Izvor: Neowin
 
Benchmark možete pratiti i na društvenim mrežama | Facebook | Twitter | Instagram | YouTube |Na Benchmark forumu uvek možete učestvovati u kvalitetnim i aktuelnim diskusijama iz IT industrije