Benchmark Redakcija
Istraživači sa Univerziteta Ilinois iz Čikaga su napravili novi proboj u oblasti
razvoja MRAM memorije koji bi mogao značajno povećati gustinu memorijskih ćelija
u MRAM čipovima. Jedan od najvećih problema MRAM čipova je njihov mali kapacitet,
koji je posledica činjenice da se podaci u memorijske ćelije upisuju magnetnim
poljem, a ne elektronskim putem kao kod DRAM memorije. Zbog toga što magnetna
polja susednih ćelija međusobno interaguju, moraju biti poprilično udaljena, što
negativno utiče na količinu podataka koja se može čuvati po jedinici prostora.
Jedan od mogućih rešenja ovog problema leži u korišćenju nano-žica savijenih u
blago asimetrični prsten. Ovakvi prstenovi su u stanju da prilično pouzdano drže
namagnetisanje, ali su zbog svojih dimenzija izuzetno komplikovani za proizvodnju.
Ekipa sa Univerziteta Ilinois se dosetila da umesto prstenaste forme koristi oblik
kvadrata koji se može lakše "izrezbariti" u silicijumskoj podlozi od
koje se prave nano-žice, a takođe je u stanju da zadrži stanje 0 ili 1 nezavisno
od magnetnih polja drugih ćelija.
Prvi primerci ovakvih kvadrata su veličine oko jednog mikrona, tako da se još
mora raditi na njihovom smanjivanju. Da bi MRAM memorija mogla da u budućnosti
uspešno zameni DRAM, njena ćelija se mora smanjiti na nivo od ispod 100 nm.
Prvi MRAM čipovi se proizvode već danas, ali njihov kapacitet se meri kilobitima.
Izvor: Technology
Review
