Benchmark Redakcija
Japanski Renesas Technology je na sastanku IEEE organizacije
koji se ovih dana održava u San Francisku, objavio da je razvio Magnetoresistive
Random Access Memory (MRAM) memorijski čip kapaciteta 1 Mbit. Ovaj čip će biti
izrađivan u 130 nm CMOS procesu, ali nije objavljeno kada će njegova proizvodnja
započeti. Čip će raditi na taktu od 143 MHz i naponu od 1,2 V, a u stanju je
da izdrži bilion pisanja i brisanja podataka (što se obavlja na temperaturi
od 150°C) pre nego što izgubi radnu sposobnost. Veličina memorijskih ćelija
kod ovih čipova je 81 kvadratni µm i svaka od njih sadrži po jedan tranzistor.
Vreme koje je potrebno da se podatak pročita iz memorijske ćelije iznosi 5,2
ns.
Na sastanku San Francisku su uglavnom dominirale dve vrste MRAM čipova, nazvane
FET i cross-point. Kod MRAM memorije podaci u memorijsku ćeliju se upisuju uz
pomoć magnetnog polja, slično kao kod hard diskova. To znači da podatke u MRAM
memorijskim ćelijama nije potrebno osvežavati, ali donosi i komplikovani upis
podataka, zbog čega će se MRAM memorija u početku uglavnom koristiti kao ROM.
Predstavnici kompanija Toshiba i NEC su na sastanku zajednički predstavili i
rad na izradi cross-point MRAM čipova koji radi na naponu od 1,5 V i imaju vreme
pristupa podacima od 250 nm. FET čipovi, među kojima je i model kompanije Renesas,
su dosta brži, ali je njihova proizvodnja komplikovanija i poseduju manji kapacitet.
Izvor: EE Times
