Samsung i Hynix sarađuju na MRAM tehnologiji

Samsung i Hynix su ugovorili saradnju na polju istraživanja MRAM tehnologije, kao i osvajanja proizvodnje u 450-milimetarskim vaferima. Ljuti rivali na tržištu memorija, Samsung Electronics i Hynix Semiconductor su shvatili kakvo je vreme došlo za proizvođače na ovom polju i rešili da oforme partnerstvo sa ciljem standardizacije budućih tehnologija, koje bi moglo da se bori protiv alijansi japanskih proizvođača. Dve kompanije će zajedno istraživati tehnologije, sa fokusom na torque-transfer magnetic-random-access-memory (STT-MRAM) čipovima. Takođe, obe firme se nadaju da će od 2012. godine moći da proizvode 450-milimetarske vafere. Zajednički projekti bi trebali da krenu već od avgusta, a STT-MRAM istraživanja od septembra.

Izvor: The Inquirer