Samsung počeo sa proizvodnjom 8-Gigabit DDR4 memorije u 20nm procesu

Kompanija Samsung Electronics je danas objavila početak masovne proizvodnje najnaprednije 8-Gigabit (Gb) DDR4 memorije i 32GB-nih modula, proizvodiće se u 20nm procesu. Memorija će biti namenjena poslovnim serverima. Sa svojim novim 20 nm 8 Gb DDR4 DRAM-om, Samsung sada nudi kompletnu liniju 20nm-baziranog DRAM-a.
Novi moduli od 32GB dostižu brzine prenosa podataka od 2400 Mbps, što je povećanje od 29 odsto u performansama u odnosu na DDR3 1866 Mbps serverske module. Novi 8 Gb čipovi će omogućiti i proizvodnju serverskih modula maksimalnog kapaciteta 128GB. Nova DDR4 memorija se odlikuje i poboljšanim korekcijama grešaka, što povećava pouzdanost memorije u poslovnim serverima. Novi DDR4 čip i modul takođe koristi 1.2 volta, što je trenutno najniža moguća voltaža.Izvor: Guru3DSve informacije u vezi sa kompanijom Samsung, možete pogledati na Samsung stranici, na Benchmark sajtu