Samsung je predstavio GDDR4 memoriju koja radi na 2 GHz na 2 V (efektivno 4 GHz DDR). Zahvaljujući ovim karakteristikama obezbeđen je protok od 4 gigabita u sekundi, odnosno efektivno 16 GB/s, što je otprilike 66% brže od do sada najbrže dostupne memorije, koja je imala maksimalni protok od 2.4 gigabita u sekundi. Ovo je ostvareno primenom 80-nanometarskog proizvodnog procesa, a prvi ovakvi čipovi će biti izrađeni u 512 Mb pakovanju. Južnokorejski gigant planira da već ovog meseca počne sa isporukama semplova, dok će masovna proizvodnja krenuti uskoro. Novi memorijski čipovi će biti dizajnirane za rad na voltažama od 1.4 do 2.1 V.
U saradnji sa 512-bitnim memorijskim kontrolerom novi Samsung čipovi bi bili u stanju da isporuče maksimalan protok i do tri puta veći od onog koji trenutno poseduje najbrža grafička karta na tržištu, 8800 GTX. Prvobitna predviđanja su govorila da će GDDR4 memorije dostići oko 2.8 GHz tokom 2007 te da će u 2008. godini GDDR5 memorija startovati na oko 3.5 GHz, da bi do 2009. dostigla 4 GHz. Ipak, Samsung je uspeo da demantuje takva predviđanja ne samo ovim proizvodom, već i GDDR4 memorijom na 3.2 GHz koju je predstavio pre oko godinu dana. Današnje grafičke karte koriste GDDR4 memoriju od 1 GHz, a pre nekoliko nedelja je Samsung počeo sa masovnom proizvodnjom GDDR4 memorija na 1.4 GHz.
Izvor: Behardware