Benchmark Redakcija
SanDisk je saopštio da je osvojio nove tehnologije na polju proizvodnje NAND flash memorija. U saradnji sa kompanijom Toshiba, SanDisk je osvojio 43-nanometarski proizvodni proces kada su u pitanju multi-level cell (MLC) NAND flash memorijski čipovi. Novi proizvodni proces bi trebao da omogući dvostruko veću gustinu u odnosu na dosadašnje 56-nm 16 Gb čipove. U kompaniji saopštavaju da se trude da isporuke ovih memorijskih čipova krenu što ranije, odnosno da bi ih trebalo očekivati tokom drugog kvartala. Novi 43-nm flash čipovi će biti proizvođeni u Fab 4 postrojenju, novom postrojenju koje proizvodi 300-mm vafere, koje su SanDisk i Toshiba zajedno izradili. Očekuje se da će i Fab 3 postrojenje preći na 43-nm izradu u drugoj polovini godine, kao i da će se početi sa izradom 32 Gb čipova.
Ovo, međutim, ne znači da će SanDisk prestati sa proizvodnjom 56-nm NAND flash čipova, naprotiv. SanDisk je saopštio da je uspešno ovladao 3-bit-per-cell (x3) flash tehnologijom proizvodnje. Pomoću ove tehnologije, SanDisk će prilikom proizvodnje 56-nm 16 Gb čipova biti u mogućnosti da iskoristi oko 20% više vafera nego do sada, što će omogućiti uštedu i povećati profitnu marginu u odnosu na aktuelne memorije. Na taj način će proizvodnja biti efikasnija, troškovi spušteni, a brzine transfera bi trebale ostati u rangu aktuelnih memorija. SanDisk saopštava da će masovna proizvodnja x3 MLC NAND čipova početi krajem marta i početkom aprila.
Izvor: TechConnect
