Huawei planira da do 2026. razvije čipove na 3nm GAA (Gate-All-Around) tehnologiji, što bi predstavljalo ogroman korak za kinesku domaću industriju poluprovodnika i pozicioniralo kompaniju kao ozbiljnog konkurenta Zapadu. Prema izveštaju Tajvanskog ekonomskog dnevnika, Huawei je već započeo istraživačko-razvojne aktivnosti u ovom pravcu, nakon uspeha sa Kirin X90 čipom izrađenim na 5 nm procesu SMIC-a.
Zanimljivo je da Huawei razmatra upotrebu dvodimenzionalnih materijala za kanale tranzistora, što bi moglo doneti bolje performanse i nižu potrošnju energije u poređenju sa tradicionalnim dizajnom. Do sada je jedino Samsung primenio GAA dizajn na 3 nm čipovima, pa se spekuliše da bi mogla postojati neka forma saradnje između te dve kompanije.

Takođe, Huawei razvija i “karbonsku” verziju 3 nm dizajna, koja koristi ugljenične nanocevi kao zamenu za tranzistore od silicijuma i međuspojeve. Ova tehnologija bi mogla doneti nove prednosti u miniaturizaciji i efikasnosti čipova.
Iako se nalazi još u ranoj fazi razvoja, Huawei već pokazuje ozbiljne namere. Njegov uspeh u 5 nm segmentu pokazuje da kompanija ima potencijal da i ovaj ambiciozni plan sprovede u delo, posebno u saradnji sa SMIC-om.
Huawei postaje ključni igrač u tehnološkoj trci, sa sve većim stepenom vertikalne integracije i kapacitetom da izgradi samostalnu tehnološku infrastrukturu, što dodatno komplikuje ravnotežu snaga u globalnom tehnološkom rivalstvu između Kine i SAD, prenosi Wccftech.
Nema komentara 😞
Trenutno nema komentara vezanih za ovu vest. Priključi se diskusiji na Benchmark forumu i budi prvi koje će ostaviti komentar na ovaj članak!
Pridruži se diskusiji