Revolucionarna tehnika proizvodnje 3D NAND memorije mogla bi drastično  ubrzati proizvodnju SSD-ova 

Istraživači su razvili novu tehniku graviranja tranzistora u procesu proizvodnje 3D NAND fleš memorijskih čipova koja koristi kriogenu (niskotemperaturnu) fluorovodoničnu plazmu. Ovaj postupak udvostručuje brzinu graviranja, ali i pakovanja tranzistora na silicijum u poređenju sa dosadašnjim metodama, što bi moglo omogućiti skladištenje veće količine podataka u uređajima poput pametnih telefona, kamera i računara. 

Standardna NAND fleš memorija koristi se u microSD karticama, USB drajvovima i SSD-ovima. Da bi se povećao kapacitet skladištenja podataka, proizvođači su počeli da slažu memorijske ćelije vertikalno u procesu poznatom kao 3D NAND. 

Napredak u 3D NAND tehnologiji već je omogućio dizajn čipova sa više od 200 slojeva, dok kompanije poput Micron-a, SK Hynix-a i Samsunga teže ka 400-slojnoj tehnologiji radi povećanja gustine pakovanja podataka tj kapaciteta. Međutim, veći broj slojeva donosi i veću složenost proizvodnje. Posebno izazovan proces je graviranje, koje zahteva precizno bušenje rupa sloj po sloj kroz naizmenične slojeve silicijum oksida i silicijum nitrida. 

Tim istraživača iz kompanije Lam Research, Univerziteta u Koloradu Boulder i Plasma Physics Laboratory (PPPL) u Prinstonu razvio je novu tehniku koja pojednostavljuje ovaj proces. Njihov metod koristi kriogenu fluorovodoničnu plazmu za graviranje rupa, što je u eksperimentima povećalo brzinu graviranja sa 310 nanometara po minutu na 640 nm/min. Takođe su primetili da su dobijene rupe bile čistije, što pomaže očuvanju boljeg i kvalitetnijeg signala. 

Istraživači su dodatno eksperimentisali sa dodavanjem drugih sastojaka u plazmu. Fosfor trifluorid je značajno ubrzao graviranje silicijum dioksida, čak četiri puta brže nego ranije, dok su takođe testirali amonijum fluorosilikat. Detalji istraživanja objavljeni su u časopisu Journal of Vacuum Science & Technology. 

Iako predstoje izazovi u komercijalizaciji, ova tehnika mogla bi da prevaziđe ključne prepreke u proizvodnji. Igor Kaganovich, vodeći istraživač iz PPPL-a, naglašava da će povećanje kapaciteta memorije biti od ključnog značaja zbog rastuće potražnje za podacima, posebno sa sve većom primenom veštačke inteligencije. 

Još uvek je rano reći da li će ovo dovesti do jeftinijih ili  NAND čipova većeg kapaciteta za krajnje korisnike. Tehnika mora biti dokazana kao komercijalno održiva i prilagođena masovnoj proizvodnji. Čak i ako proizvođači usvoje ovaj proces, ne postoji garancija da će eventualne uštede biti od koristi za krajnje korisnike, pipe Tech Spot.